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sputtering-target
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BiFeO3-Target, 3" Durchmesser x 0,125" dicke Bindung an Kupfer(Cu)-Trägerplatte (0,111" dick)
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Leitfähiges Keramiktarget (1" Dx 0,3 mm t) Li1,5Al0,5Ge1,5P3O12
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GaN-Target, 99,99 %, 15 mm x 3,0 mm, TG-GaN15D30CN
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CaF2-Einkristall zum Aufdampfen, 5x5x5 mm im Schnitt
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CdWO4-Einkristall zum Aufdampfen, 5x5x5 mm im Schnitt
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GaAs-Einkristall zum Aufdampfen, 5x5x5 mm im Schnitt
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LiFePO4-Target für die Kathode einer Dünnschichtbatterie
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LiMn2O4-Target für die Kathode einer Dünnschichtbatterie
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LiNiCoMnO2-Target für die Kathode einer Dünnschichtbatterie
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MgF2-Einkristall zum Aufdampfen, 2,8-6 mm Einheit: Gramm
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MgO-Einkristall zum Aufdampfen, 5x5x5 mm im Schnitt
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Si-Einkristall-Target, N-Typ, undotiert 4" x 0,25", unpoliert R: 1000 Ohm.cm-TG-GaN15D30CN
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ZnS-Target, 99,99 %, 4" Durchmesser x 1/8" mit Kupfer-Trägerplatte
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Si-Einkristall-Target, N-Typ, undotiert, (100) ori., 3 Zoll Durchmesser x 6,0 mm, fein geschliffen, R1000 Ohm.cm-TG-SiU76D60CN
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Si-Einkristall-Target, P-dotiert (100) 3" x 4,0 mm, unpoliert-TG-SiPa76D40CN
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